出生于中国湖北南漳的美籍科学家、麻省理工学院（Massachusetts Institute of Technology）教授陈刚（Gang Chen)和他所带领的研究团队发现了可能是有史以来最好的半导体。陈刚是世界纳米热电材料和流体力学的杰出科学家。

在上个月发表在《科学》杂志上的一篇论文中，陈刚及其同事表示，一种称为立方砷化硼的半导体材料可以比目前所最广泛使用的半导体硅具有更好的传导性能，导热性能是后者10倍。我们目前所使用的大大小小的电子产品里面的芯片几乎全是以砂为原料的硅。

根据陈刚和麻省理工学院，休斯顿大学以及其他美国机构的合著者的论文，这种新材料的非凡导热性可以使其成为下一代半导体材料的最有前途的新选项。

砷化硼在电子空穴迁移率是硅三倍以上，电子空穴迁移率是导电性的关键特性，它可以制成一种电子和[电子]空穴都以较小的电阻传播的新材料，这对提高半导体芯片的性能至关重要。陈刚是纳米技术，传热和能量转换方面的顶尖科学家，早在2018年就对立方砷化硼的独特电子特性进行了理论预测。

陈刚的实验室能够进行实验，并使用由另一位中国四川出生的教授波士顿大学终身教授任志峰（Ren Zhifeng）领导的休斯顿大学团队准备的样本来证明他们的假设。任志峰是波士顿大学纳米实验室首席科学家。

虽然这种材料似乎是一种理想的半导体，但陈说他们仍然需要测试立方砷化硼的其他性质，包括其长期稳定性。他们还希望弄清楚如何生产和纯化它，以便有一天用它取代工业应用中无处不在的硅，一旦成熟应用，将成为半导体材料和电子技术革命性的里程碑。

2021年1月14日陈刚被美国联邦调查局FBI带走，被指控他可能和中国的多个科研和教育项目有关，并限制他的多项研究项目。2022年1月14日，联邦检察官已建议撤销对陈教授的刑事指控。在指控撤销后，陈刚接受纽约时报访问，表示过去一年的经历“令人痛苦”，指是美国的国家的悲哀也让他理想幻灭，并表示已没有信心申请美国政府的研究基金。

麻省理工学院终身教授、美国国家工程院院士陈刚

华人纳米科学家任志峰