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DRAM芯片战争——1970-2017

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DRAM芯片战争——1970-2017

毛时代的电子工业科技发展的辉煌！

1970年4月24日，中国第一颗人造地球卫星“东方红一号”从酒泉卫星发射中心成功发射。照片为酒泉卫星发射中心，地下13米深处的发射场控制室，墙上还写着当年留下的主席标语——一定要在不远的将来赶上和超过世界先进水平。

1949年新中国成立的时候，美国已经在世界第一工业大国的宝座上，稳坐了50年。而中国，是个连汽油铁皮桶都无法生产的落后农业国。全国五亿多人口中，80％以上是文盲，农村文盲率超过95％。就是在这样的巨大差距下，中国亿万人民由毛主席领导，开始了艰苦卓绝的工业追赶进程，创造了世界历史上的经济奇迹。然而结果很不幸，由于1978年改革开放后的错误政策，导致中国电子工业全面垮掉，并在地上跪了三十年，至今也没能爬起来。

中国电子工业起步——亚洲最完善的电子工业体系

中国电子工业发展，起步于毛泽东时代。1950年抗美援朝战争爆发后，为解决军队电子通信问题，国家成立电信工业管理局，在北京酒仙桥筹建北京电子管厂（即现在的北京京东方），由民主德国（东德）提供技术援助。该厂总投资1亿元，年产1220万只，是亚洲最大的电子管厂。除此之外，酒仙桥还建起了规模庞大的北京电机总厂、华北无线电器材联合厂（下辖706、707、718、751、797、798厂）、北京有线电厂（738厂）、华北光电技术研究所等单位。

1956年国家提出“向科学进军”，国务院制定科技发展12年规划，将电子工业列为重点发展目标。中国科学院成立了计算技术研究所（中科院计算所），这是中国第一个电子计算机研究所。为了培养电子工业人才，教育部集中全国五所大学的科研资源，在北京大学设立半导体专业。由黄昆博士、谢希德博士、高鼎三等留学回国的著名教授讲课。1957年毕业的第一批学生中，出现了大批人才。如中芯国际董事长王阳元、华晶集团总工程师许居衍、电子工业部总工程师俞忠钰。

1958年，上海组建华东计算技术研究所，及上海元件五厂、上海电子管厂、上海无线电十四厂等企业。使上海和北京，成为中国电子工业的南北两大基地。1960年中国科学院成立半导体研究所，集中了王守武博士、黄昆博士、林兰英博士等著名海外归国专家。同年组建河北半导体研究所（现为中电集团第13所），进行工业技术攻关。1962年由中科院半导体所，组建全国半导体测试中心。1963年中央政府组建第四机械工业部，主管全国电子工业（1982年改组为电子工业部），由通信专家王诤中将任部长。

中国早期电子工业，主要以军事项目为牵引，研制军用航空电子设备、弹道导弹控制设备、核武器配套电子设备、军用雷达、军用通讯器材、军用电子计算机等产品。1958年开始研制东方红卫星后，又将防辐射级太空电路列入研究项目。这一时期，中国民用电子产品，仅限于无线电收音机。收音机当时是极为昂贵的奢侈消费品。

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文革时期——独立自主自力更生

1966年文革爆发后，由于左倾政策的保护，中国电子工业得到快速发展，北京酒仙桥电子工业区基本成型。电子工业开始与纺织、印染、钢铁等行业结合，实现自动化生产。1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国集成电路产业中的“南北两霸”。其中北京878厂主要生产TTU电路、CMOS钟表电路及A/D转换电路。上海无线电19厂，主要生产TTL、HTL数字集成电路，是中国最早生产双极型数字集成电路的专业工厂。1977年四机部投资300万元，建设6000平方米集成电路洁净车间。到1990年该厂累计生产509种集成电路，产量4120万块，产值3.25亿元（该厂后来合资为上海飞利浦半导体）。

1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，解放军1424研究所，现中电集团24所）。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路。拉开了中国发展MOS集成电路的序幕。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后又研制成CMOS电路。至1990年底，上无十四厂累计产量为3340万块（后来合资成为上海贝岭半导体）。

1972年美国总统尼克松访华后，中国从欧美大量引进技术。由于集成电路产品利润丰厚，全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）和4435厂（湖南长沙韶光电工厂）等。各省市另外投资建设了大批电子企业。

毛时代的电子工业发展的辉煌！

1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1K DRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾根本就没有电子工业科研基础。照片为北京大学校史陈列馆展示的器件。

引进国外先进技术——3英寸晶圆厂拖了七年

1973年，借着中美关系缓和及欧美石油危机的机会，中国希望从欧美国家，引进七条3英寸晶圆生产线，是当时世界最先进技术。这要比台湾早2年，比韩国早4年，那时候台湾与韩国还没有电子工业科研基础。1975年美国英特尔才开始建设世界第一座4英寸（100mm）晶圆厂。但是由于欧美技术封锁，最终拖了七年，中国才得以引进三条已经落后的3英寸晶圆生产线，分别投资在北京国营东光电工厂（878厂），航天部陕西骊山771研究所（西安微电子研究所），和贵州都匀风光电工厂（4433厂）。其中北京878厂的3寸晶圆生产线，直至1980年才建成，已经比台湾晚了3年，比韩国晚2年。

与之形成鲜明对比的是，台湾工研院1975年向美国购买3英寸晶圆生产线，1977年就建成投产了。1978年，韩国电子技术研究所（KIET），从美国购买3英寸晶圆生产线，次年投产。1980年台湾联华电子建设4英寸晶圆厂。而中国大陆，直至1988年，才由上海无线电十四厂，与美国贝尔电话合资，成立贝岭微电子，建设中国大陆第一条4英寸晶圆生产线。这比台湾晚了八年，比美国晚十三年。在欧美联手封锁压制下，中国大陆只能买到二手淘汰设备。

1975年，就在台湾刚刚向美国购买3英寸晶圆厂时，中国大陆已经完成了DRAM核心技术的研发工作。北京大学物理系半导体教研室（成立于1956年，现北大微电子研究院），由王阳元领导的课题组，完成硅栅P沟道、铝栅N沟道和硅栅N沟道三种技术方案。在中科院北京109厂（现为中科院微电子研究所），采用硅栅N沟道技术，生产出中国第一块1K DRAM。这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国、台湾要早四五年。直至1980年前后，韩国、台湾才在美国技术转移下，获得了DRAM技术突破，瞬间反超中国大陆。韩国直接从16K起步，台湾从64K起步。

1978年10月，中国科学院成立半导体研究所，由王守武领导，研制4K DRAM，次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年）。1981年中科院半导体所又研制成功16K DRAM（比韩国晚两年）。1982年，江苏无锡江南无线电器材厂（742厂），耗资6600万美元，从日本东芝引进3英寸晶圆生产线（5微米制程，月产能1万片），生产电视机集成电路。1985年，该厂制造出中国第一块64K DRAM（比韩国晚一年）。1993年，已经改组的无锡华晶电子公司（原无锡742厂），制造出中国第一块256K DRAM（比韩国晚七年）。

从上述历史来看，我们可以明显看出，在欧美技术封锁，以及1980年后，中国大陆减少电子产业投资的情况下，中国DRAM产业从领先韩国、台湾，然后迅速被韩国、台湾反超。尤其是韩国在美国刻意扶植下，依靠20亿美元左右的巨额疯狂投资，在DRAM产业取得了显著成果。

1977年8月1日，北京，邓和华在纪念南昌起义50周年大会上。

洋跃进——800亿美元疯狂计划

而中国大陆的这一局面，主要由于政治原因。1976年毛主席逝世后，左右各派为争夺权力，展开了激烈较量，经济领域是主要战场之一。1977年中国的外汇储备还有9亿多美元，7月份国家计委提出，今后八年花费65亿美元从国外进口技术设备，重点发展石油化学工业，其中只有一个陕西咸阳显像管厂是电子项目。政治局讨论时，邓提出可以花100亿美元进口设备，提高中国石油、煤炭和轻工业产量，以赚取更多外汇。8月，国家计委将进口项目提高到150亿美元规模，再次得到邓等人的肯定。

1978年2月9日，中央政治局讨论《政府工作报告》，在叶剑英的鼓动下，华GUO FENG将进口规模提高到180亿美元。3月份再次讨论时，华GUO FENG又将进口额度提高到200亿美元。要知道1978年中国的外汇储备仅有1.67亿美元，可见当时邓、华等人的决策是如何荒唐。到6月份，中央政治局再次听取报告，邓说得更干脆：同国外做生意，搞买卖，搞大一点，什么150亿，搞它500亿。500亿美元的规模，是3月份拟定的200亿美元的二点五倍。

受邓的影响，6月30日听取谷牧出访汇报时，华GUO FENG再次强调步子要大一些。国家计委讨论后，提出了花费1000亿美元引进技术的设想。7月上旬，国家计委初步整理，汇总了一个850亿美元的方案，其中400亿引进外资。邓也同意这个方案。9月9日，李先念在国务院务虚会结束时宣布：今后十年的引进规模可以考虑增加到800亿美元。李还称，这是一个伟大的战略决策。

从65亿美元到后来的800亿美元，这帮人完全违背经济发展规律，如同儿戏一般，将气球越吹越大。其实，1958年大跃进时期，搞浮夸风、亩产万斤的，也是邓、李、叶这帮老狐狸。当时他们把主席架在火上烤，以赶他下台。1959年毛下台，换了刘少奇上台。1978年大搞洋跃进，同样是为了将华国峰赶下台。洋跃进号称要建设“十个鞍钢、十个大庆”，其中就包括邓力主拿出50亿美元，从日本新日铁进口设备，建设上海宝钢。而上海长江边的烂泥地，根本不适合建设大型钢厂。

1980年9月，北京，人大五届三次会议上，赵总理与邓、李一批人坐在主席台上。

狂印钞票——中国经济全面恶化

1978年中国的财政收入为1132亿元，光是一个上海宝钢项目就要投资300亿元，根本不是中国国力所能负担的。没钱怎么办？开动印钞机！1979年中国人民银行增加了50亿元人民币的供应量。同时期，为了体现改革开放的好处，中央开始给工人涨工资、提高粮食收购价、给文革时期打倒的牛鬼蛇神们平反，补发工资。给老革命家们盖别墅、换进口小轿车，提高福利待遇。1980年，在邓、叶等人的联手打击下，华国峰终于被赶下了台。换了胡耀邦担任总书记，赵紫阳担任总理。但是经济形势已经开始恶化了...........

1979年全国在建的大中型项目有1100多个，财政赤字170.6亿元。1980年又新增了1100多项，财政赤字127亿元。上述项目全部建成，还需要投资1300亿元。为了弥补财政亏空，1980年央行又增印了78.5亿元钞票。从此，印钞票如同吸毒上瘾一般，成为中国经济毒瘤。1978年中国全社会的流通现金仅有229.59亿元，到1985年已经暴增至839亿元。光是1984年的钞票供应增幅，就高达惊人的39％。连年狂印钞票引发恶性通货膨胀。许多物价都至少翻番，高档烟酒等民用消费品价格，甚至直接上涨10倍，以致一些城市出现了“抢购囤积风潮”。

为了控制宏观经济的严重混乱局面，压缩投资金额。1980年中央一下子停建缓建了400多个大中型项目，1981年又停缓建了22个大型项目。其中就包括上海宝钢、十堰二汽、大庆30万吨乙烯等战略工程。盲目贪大求洋给中国经济带来严重危害，导致汽车、电子、航空等战略产业难以发展。像上海的运10大飞机，在研制试飞成功15年后最终流产。北京电子管厂（现在的京东方），想上马液晶项目，也因为缺乏国家投资而流产。更严重的危机还在后面。

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上海市威海路696号，原是上海元件五厂厂房和仓库的一部分。工厂倒闭后厂房被30多位艺术家占据，成为艺术仓库。到1990年代，上海市曾经闻名全国的电子企业，几乎全部破产倒闭，或变成合资企业。

拨改贷——抽干中国电子企业血液

1984年，国务院总理赵**，为了扭转财政亏空局面，听信一些经济专家的建议，盲目实行“拨改贷”政策。以往国有企业从政府财政获得拨款，作为工厂流动资金或技术改造经费。企业盈利后将利润上缴国家财政。这样形成良性循环。拨改贷将政府财政拨款，改为企业向银行贷款，还要支付高额利息。而另一头，企业的利润照样要上交财政。这样政府不仅不投一分钱，反而像从前一样，抽走企业的大部分收入，导致国有企业迅速陷入亏损困境。

正是由于“拨改贷”，使得中国电子工业遭到致命打击。企业只顾引进外国设备，以尽快投产盈利，缺少科研资金对外国技术进行消化吸收。这是企业急功近利的根源。在文革时期，中国科研投入占GDP的2.32％，与英法德等发达国家相当（2003年世界平均值也仅有2.2％）。到1980年代，正是电子产业兴起的关键时期，欧美国家和日本、韩国、台湾纷纷加大对电子产业的科研投入。而中国却在大规模压缩科研经费投入。1984年以后，由于“拨改贷”造成的困境，使中国企业基本无力进行研发，科研经费占GDP比值骤然降到0.6％以下。中国电子工业彻底垮了。

比如像中国最大的半导体企业——上海元件五厂。1980年利润高达2070万元，职工人均利润1.5万元。即使是1985年，上海元件五厂的产值仍然高达6713.1万元，利润达1261.4万元。然而到了1990年，上海元件五厂产值下降至1496万元，利润竟然仅有2.47万元，全厂1439人，人均利润仅有区区17.16元。熬了没几年，这家风光了三十年的中国半导体器件龙头企业，就在改革开放的“春风”里破产倒闭了。

其实不单是电子工业。在1980年代，获利丰厚的纺织工业、钟表工业、钢铁工业，全部成为中央财政的吸血来源。国家停止工厂设备升级投资，导致中国纺织工业到1990年代全面破产，全国下岗失业工人超过200万人，引发了严重的社会危机。

中央停止投资——全国疯狂引进落后淘汰技术

1982年，国务院组建电子工业部，由张挺任部长，主管全国电子工业。该部门继承了毛时代组建的2500多家科研院所和电子工厂，下属职工总数达100多万人，主要研制通信、雷达、电视、计算机、无线电、元器件等设备。产业结构完备程度，仅有美国、苏联可以相比。光是电子工业部下辖的专业电子研究所就有上百家。然而在80年代初，由于中央政府全面停止对电子工业投资，各电子企业要自己去市场找资源。于是中国电子工业的技术升级全面停止，与美国、日本的技术差距迅速拉大。甚至被80年代加大电子投资的韩国、台湾彻底甩开。

1982年，中国国务院成立了“电子计算机和大型集成电路领导小组办公室（简称大办）”，由副总理万里出任主任，管理包括半导体在内的电子工业。1984年该机构又更名为“国务院电子振兴领导小组”，由副总理李月月任组长。至1988年该机构取消，两任国家当家人出面，最后结果怎么样？

1984年至1990年，中国各地方政府、国有企业和大学，纷纷从国外引进淘汰的落后晶圆生产线，前后总计达到33条，按照每座300-600万美元估算，总计花费1.5亿美元左右。这33条晶圆生产线，多数根本没有商业价值。造成这一乱象的根本原因，是电子工业部，将绝大多数国有电子企业的管理权，甩给省市地方政府，又缺乏制定执行产业规划的政策权力。出现了全国疯狂引进落后技术的奇怪现象。还有一个原因是80年代开始，国有企业贪污腐败加剧，借着进口项目的名义，领导干部可以名正言顺地获得出国考察机会。

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九0八工程——盖一座6寸晶圆工厂用时八年

为了治理散乱差问题，1986年电子工业部在厦门，举办集成电路战略研讨会，提出“531战略”。即“普及5微米技术、研发3微米技术，攻关1微米技术”，并落实南北两个微电子基地。南方集中在江浙沪，北方集中在北京。1988年至1995年，在政策扶持下，中国诞生了五家具有规模的国有半导体企业：江苏无锡华晶电子（原无锡742厂与永川半导体研究所合并）、浙江绍兴华越微电子（1988年设立中国第一座4英寸晶圆厂）、上海贝岭微电子、上海飞利浦半导体（1991年设中国第一座5英寸晶圆厂）、和北京首钢NEC（1995年设中国第一座6英寸晶圆厂）。

1990年8月，国务院决定在八五计划（1990-1995），半导体技术达到1微米制程，决定启动“九0八工程”，总投资20亿元。其中15亿元用在无锡华晶电子，建设月产能1.2万片的6英寸晶圆厂，由建设银行贷款。还有5亿元投给9家集成电路企业设立设计中心。（1993年华晶开发出256K DRAM，比韩国晚7年）。

但实际结果是由于官僚体系拖延，九0八工程光是经费审批就花了两年时间。然后从美国AT&T（朗讯）引进0.9微米制程，又花了三年时间。前后拖延五年时间，建厂再花三年，导致1998年无锡华晶电子投产即落后（月产能仅6000片），华晶还要为此承担沉重的利息支出压力。为了解决华晶的困境，电子工业部借研讨会的机会，请台湾茂矽电子老板陈正宇，接手管理华晶的六寸晶圆厂。1998年2月，由台湾人陈正宇、张汝京和李乃义在香港注册上华公司，来租赁无锡华晶的6寸厂，进行晶圆代工业务。1999年8月，双方合资成立无锡华晶上华半导体公司，上华控股51%。新公司迅速扭亏为盈，成为中国大陆第一家“纯晶圆代工”企业，月产量达到1万片。2001年月产能达到2万月。2003年上华筹备建设一座8英寸晶圆厂，为了节省投资希望购买二手设备。不过国际上二手8寸晶圆厂很少。直至2007年8月，无锡海力士的8英寸晶圆厂，因DRAM价格暴跌而停产。上华迅速出手，以3.8亿美元买下了该厂设备，2009年投产。

与无锡华晶形成鲜明对比的是，1990年新加坡政府投资特许半导体，只用2年建成，第三年投产，到1998年收回全部投资。而无锡华晶却被甩给了台湾人经营。

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1990年，中国进口一台美国IBM 286电脑（IBMPS1），价格是3.5万元人民币。当时中国普通工人的月工资只有300元左右。由于电子产品的暴利，引发广东、浙江等沿海省份，大规模走私进口电子器件，彻底冲垮中国电子工业。

中国电子产业落后——三十年来以市场换技术

在1996年，国际主流生产线是8英寸晶圆厂，而中国最先进的是首钢NEC的6英寸晶圆厂，比国外落后八年。造成这一现象，有多方面原因。一是投资薄弱，1980-1996年间，中国在半导体产业，累计投资仅有3亿多美元，其中多数胡乱花掉，没有形成技术能力。国有企业缺乏投资，根本不可能追赶国外先进技术。作为对比，日本光是1996年对半导体的投资就接近40亿美元。

二是电子工业部作为行业主管部门，却没有制定执行产业政策的权力，要通过国家计委来审批项目。九0八工程就是如此。而官僚体系在决策时，盲目追求技术先进，根本不考虑市场因素。以华晶电子为例，决策者拒绝在华晶内部设立IC产品设计研究所，这就一下子丢掉了大批缺乏设计能力的客户。后来电子工业部部长胡启立，在接受采访时认为：那是因为决策者不了解半导体市场运作规律。

三是政治因素，自1949年新中国成立起，中国就被西方国家主导的“巴黎统筹委员会（简称巴统）”，进行严格的技术封锁。1994年巴统由于苏联解体而宣告解散，但是西方对于中国的技术封锁并未停止。1995年9月，包括原巴统17个成员国在内的28个国家，在荷兰瓦森纳召开会议，决定以控制武器技术扩散的名义，建立技术出口控制机制。1996年7月，西方33个国家正式签订《瓦森纳协定》，民用技术控制清单包括：电子器件、计算机、传感器等九大类。军用技术控制清单包括22大类。中国同样处于被禁运国家之列。

在电子领域，韩国、台湾可以轻轻松松从欧美进口先进电子设备，而中国大陆只能购买落后5年以上的淘汰技术。而韩国、台湾依靠电子产业优势，同样对中国大陆进行技术封锁。如台湾官方禁止台积电等企业，到中国大陆投资建设先进制程晶圆厂，禁止台湾液晶面板企业到大陆设厂。即使设厂也只能投资落后台湾一代的生产线。台湾厂商通过合同约束，严厉禁止台湾技术人员，跳槽到中国大陆相关企业工作。

在各方面严防死守下，中国企业要想获得先进技术，就变得非常困难。而外国企业则凭借掌握的先进技术，在中国市场予取予求，占尽便宜。所谓的“以市场换技术”，成为改开三十年来，中国最大的笑话——中国为此付出了，至少损失1万亿美元的巨额产业代价。

1990年，中国大幅降低关税、取消计算机产品进出口批文、开放了国内电脑市场。顷刻间，国外的286、386电脑如潮水般涌入，长城、浪潮、联想等国内公司溃不成军。1991年由美国英特尔和AMD，掀起的“黑色降价风暴”，更是让中国计算机产业雪上加霜。由于绝大多数整机企业，积压了高价买进的芯片，从而背上巨额亏损的包袱，一家家电脑整机厂商，前赴后继般悲壮地倒在了血雨腥风之中。长城、浪潮和联想也都元气大伤。在微电子集成电路方面，国内企业继80年代中后期陆续亏损后，90年代纷纷倒闭，国内集成电路工业，逐步变为三资企业为主的局面。据专家估计，到1990年代末，中国微电子科技水平，与国外的差距至少是10年。

八英寸晶圆厂——摩托罗拉在天津拖了六年

1995年12月，为落实“九五计划”中，半导体生产工艺达到0.5微米的目标，国务院与上海市政府批准了“九0九工程”。包括建设晶圆厂和建立设计公司两大任务。其中上海市政府出资40亿元（5亿美元），成立华虹微电子。日本NEC出资2亿美元，双方成立华虹NEC，合计投资12亿美元，在浦东建设8英寸晶圆厂。由NEC提供0.35微米技术，生产当时主流的64M DRAM内存芯片。由于决策执行迅速，华虹NEC在1999年9月投产，次年实现盈利。2000年起，中国政府更换第二代IC式身份证和社保卡，华虹NEC成为主要制造商，拿到大量订单。

1996年，美国摩托罗拉公司提出，准备在天津投资122亿元人民币，建设一座当时中国最先进的8英寸晶圆厂（MOS-17）。凭借这个条件，摩托罗拉成为2001年前，唯一获得中国政府特许，独资设立手机厂的企业，而且是唯一拿到GSM和CDMA，两张手机生产许可证，及内销许可证的外国企业。摩托罗拉因此在中国大赚特赚，占领了超过半数手机市场，光是1999年销售额就达到260亿元。但是直到2000年，天津的8寸厂才开始动工，2002年才正式量产（2004年被中芯国际收购）。此时国际上已经纷纷开始建设12英寸晶圆厂。

1998年，电子工业部和邮电部合并，组建信息产业部，邀请海外华人专家，参与讨论制定产业指导政策。台湾世大半导体老板张汝京赴大陆考察。电子工业部曾考虑聘请张汝京出任总经理，结果未能如愿。到1999年底，世大半导体被台积电并购后，张汝京便决定投资大陆。2000年6月，在上海市政府支持下，张汝京创办中芯国际，一期投资14.76亿美元，其中上海国有银行提供了12亿美元贷款。2001年9月，中芯国际在上海张江，建成第一座8英寸晶圆厂，采用0.25微米工艺（设计月产能5万片）。

摩托罗拉南京软件中心约100名员工日前在公司门口拉起条幅.

摩托罗拉中国裁员引发员工大规模抗议。

十二寸晶圆厂——中芯国际专做接盘侠

2000年，北京市政府，计划由首钢集团出面，与美国AOS（万代半导体），合资组建华夏半导体，投入13.35亿美元，建设8英寸晶圆厂。其中北京市愿意提供6.2亿美元贷款。然而随着2001年全球半导体市场跌入低谷，该项目流产。此后，中芯国际提出在北京建设中国第一座12英寸晶圆厂（Fab4），获得北京市政府大力支持，2004年建成（计划月产能4.5万片），采用100纳米工艺，为英飞凌、尔必达代工生产DRAM。该厂总投资12.5亿美元，北京市最初承诺提供6亿美元贷款，不过直到2005年6月，才将贷款拨给中芯国际，导致Fab4直至2006年才大规模量产。

2003年，江苏无锡市政府，获悉韩国海力士在中国各地挑选投资地点，便成立了812项目，全力争取海力士投资。无锡开出了比上海和苏州，更大的资金优惠条件。最终韩国海力士与意法半导体（ST）合资，在无锡投资20亿美元，建设一座8寸晶圆厂，和一座12寸晶圆厂。其中无锡市政府总计为该项目，提供了10亿美元贷款。在土地方面，由无锡市政府出资3亿美元，建设两座占地54万平方米，和面积32万平方米的晶圆厂房，租赁给韩国海力士及意法半导体使用。

2006年，湖北省与武汉市政府投资100亿元，组建武汉新芯，建设12英寸晶圆厂。该项目是湖北省历史上，单项投资金额最大的项目，设计月产能6-7万片。由于湖北省缺乏相关人才和技术，从项目之初，武汉新芯和中芯国际就签订了托管协议，由中芯国际提供技术支援。2008年武汉新芯投产后，由于产能开工不足，长年处于亏损状态。2010年，美国镁光和台湾台积电，都对武汉新芯虎视眈眈，希望并购。由于中央政府担心国际寡头，危及中国半导体产业安全，因此支持中芯国际入主武汉新芯。2010年10月，双方签订合作协议。但是到2013年，两企业开始分道扬镳。

2014年2月，武汉新芯和美国飞索(Spansion)，签定技术合作协议，由飞索提供技术，在武汉新芯共同研发新型的3D NAND Flash。美国飞索是1993年日本富士通和美国AMD，共同出资设立的NOR Flash研制公司。2009年飞索因业绩连续滑坡倒产，被赛普拉斯(Cypress)收购成为其全资子公司。虽然，飞索从来就没有生产过NAND芯片，但是，包括三星在内，现在所有的3D NAND Flash技术，其基本原理是飞索最早开发的MirrorBit技术。不过在量产技术方面，飞索远远落后于韩国三星。

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陕西西安，韩国三星电子西安厂区，由西安市政府免费提供土地，并花费数十亿元建设厂房，再租赁给韩国三星。西安市在十年内，收不到一分钱税费。

韩国三星落户西安——西安市政府提供300亿元巨额补贴

2011年，韩国三星与日本东芝在NAND闪存领域展开争夺。当时三星在韩国华城（Fab12、Fab16）、器兴（Fab14）以及美国得州奥斯汀，共有4座NAND闪存12英寸晶圆厂，年产能450万片晶圆。为了拉开与东芝的差距，三星决定在中国选址建立NAND闪存晶圆厂，以抢占中国市场。为此，三星对北京、重庆、无锡、苏州、西安等城市进行考察。中国各地政府纷纷开出巨额优惠条件。

2011年，韩国三星电子的半导体销售额达到285.63亿美元，仅在中国市场销售额就高达95亿美元。要知道中国全国的集成电路销售额也仅有1572亿元（241亿美元）。因此，三星在谈判中具有强势地位，提出了众多苛刻条件。最初作为热门选手的北京、重庆两个直辖市，最终都主动放弃了这个项目。最后是不被人看好的西安，在付出巨大代价后，拿下了这个项目。

2011年底，陕西省×省*长*赵正*永亲赴韩国，与三星洽谈。2011年，西安市GDP为3864亿元，仅排在全国第30名，还不如南通、大庆、泉州等三线城市。因此西安市急于拿下这个项目。2012年1月，韩国政府审批通过三星在华设厂项目。2012年4月2日，韩国三星电子宣布在中国西安，建设闪存芯片厂。项目一期投资将达70亿美元，若三期投资顺利完成，总投资约为300亿美元。

西安市为此项目提供了巨额补贴，包括：一、韩国三星需要的130万平方米厂房，由西安市建设，并免费提供1500亩土地。二、西安市每年向三星补贴水、电、绿化、物流费用5亿元。三、西安市财政对投资额进行30%的补贴。四、西安市对所得税征收，进行前十年全免，后十年半额征收。同时，西安市还承诺，将为项目修建高速公路和地铁等交通基础设施。总的补贴金额保守估计在300亿元以上。

面对这种狮子大开口的苛刻索价，西安市竟然全盘接受。三星西安项目，选址在西安市安区五星和兴隆街道，占地9.4平方公里，15个村庄3000多户农民被迫拆迁改造，引发群众抗议。为了调解征地拆迁矛盾，西安市干脆派了一批干部吃住在农村，专门解决拆迁问题。

西安市这种只要面子不要里子的招商方式，实际是用中国土地、中国资金、中国工人，来补贴服务外国企业，帮助它们占领中国市场，压制中国本土企业发展。这在其他国家是极其滑稽的行为。也无怪乎北京、重庆不要这种项目。

改开三十年来，看看中国尽数破产倒闭的本土电子企业，再看看各省政府，花费巨额资金，补贴扶植的无锡海力士、西安三星、大连英特尔、南京台积电，不禁令人感叹！？！？！？！？！？！？

改开后发展电子产业，到底是为了谁？世界上有哪个国家的电子工业，是靠引进外资壮大的？？？

毛时代的电子工业发展的辉煌！

1971年，上海复旦大学自主研制的719计算机，由王世业、顾芝祥、陈志刚等人参与研制。1975年复旦大学研制FD-753计算机。经过反复研究讨论，结合那时美国IBM360/370、欧洲TSS、日本FACOM等计算机系统和我国DJS-260、北大150等计算机系统，最终确定753计算机系统的主要研制目标是：具有处理速度浮点运算200万次以上的主机系统；实现分时计算机系统；多进程分层管理的微内核操作系统。

毛时代的电子工业发展的辉煌！

1979年上海元件五厂和上海无线电十四厂，联合仿制（逆向工程）成功8080八位微处理器（编号5G8080）。8080为美国英特尔公司在1974年推出的第二款CPU处理器，集成6000只晶体管，每秒运算29万次。自1975年第一台个人电脑诞生以后，8080芯片帮助英特尔在几年后占据了电脑芯片的霸主地位。德国西门子仿制出8080芯片是在1980年10月（Siemens SAB 8080A-C），比中国还晚一年。日本也仿制过8080芯片。

下列研究所清单，回答了：为什么中国以落后的民用电子产业，却能够研制歼-20战斗机、月球探测器、相控阵雷达、航空母舰等尖端军工产品。他们全部是新中国前三十年，亿万人艰苦奋斗留下的遗产。

中国电子科技集团公司第二研究所（成立于1962年）太原电子专用设备研究所

中国电子科技集团公司第三研究所（成立于1960年）北京电视声电研究所

中国电子科技集团公司第七研究所（成立于1959年）广州通信研究所

中国电子科技集团公司第八研究所（成立于1970年）淮南光纤研究所

中国电子科技集团公司第九研究所（成立于1967年）西南应用磁学研究所

中国电子科技集团公司第十研究所（成立于1955年）中国第一个综合性电子技术研究所

中国电子科技集团公司第十二研究所（成立于1957年）北京真空电子研究所

中国电子科技集团公司第十三研究所（成立于1956年）石家庄半导体研究所

中国电子科技集团公司第十四研究所（成立于1949年）南京电子研究所（亚洲最大的雷达研究所）

中国电子科技集团公司第十五研究所（成立于1958年）华北计算技术研究所

中国电子科技集团公司第十六研究所（成立于1966年）合肥低温电子研究所