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梁孟松辞职信泄露中国芯片敏感信息
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几天前，《中芯国际》的领军人物梁孟松突然向公司提出辞职，他在辞职信中总结了他在《中芯》任职三年内所作出的贡献，同时也透露了一个极为敏感的重要信息，那就是《中芯》目前的技术水平。鉴于《中芯》是中国技术最先进也是最具规模的龙头企业，《中芯》的水平也就在很大程度上代表了中国的芯片行业的最高水平。
梁孟松在辞职信中如此叙述：“我自从2017年11月，被董事会任命为联合首席执行官，至今已三年余......这段期间，我尽心竭力完成了从28nm到7nm，共五个世代的技术开发。这是一般公司需要花十年以上的时间才能达成的任务。而这些成果是由我带领的2,000多位工程师，日以继夜、卖命拼搏得来的......目前，28nm, 14nm, 12nm, 及n+1等技术均已进入规模量产，7nm技术的开发也已经完成，明年四月就可以马上进入风险量产。5nm和3nm的最关键、也是最艰钜的8大项技术也已经有序展开， 只待EUV光刻机的到来，就可以进入全面开发阶段。”（nm=纳米）
在此之前，根据网上信息，《中芯》的量产水平是14nm晶元，而武汉《弘芯》所购买的一台ASML设备是目前国内最先进的光刻机，可用于生产10nm晶元，但却抵押给了银行。《弘芯》既然发生困难，似乎应该投靠《中芯》，也好把那台闲置的光刻机利用起来，实现10nm晶元的量产。
现在看来，《中芯》的技术水平其实已经超越了10nm技术，完成了7nm技术的开发，明年4月可以马上进入“风险量产”。
所谓“n+1技术”看来是个关键，据说这是一种技术上突破，可以不用7nm光刻机而生产出很接近7nm水平的晶元，至于这种技术是否适用于5nm和3nm，则尚无定论。
根据网上资料，这一技术的全名是FinFET（Fin Field-Effect Transistor；鰭式场效电晶体）。当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的主要思想是将场效应管立体化。
在梁孟松加盟之前，《中芯》的量产长期停滞在28nm技术水平上，梁孟松在短短三年内，实现了《中芯》在技术上的“弯道超车”，功不可没。2009-2015，梁孟松曾经加盟韩国《三星》，使韩国《三星》缩小与《台积电》技术差距的，据说也是梁孟松。
从表面看，梁的辞职是因为蒋尚义再度加盟《中芯》，成为梁孟松的上司，梁认为公司对他不重视。真正的原因还有待观察。
梁孟松、蒋尚义、张汝京（《中芯》创始人）等人，都来自《台积电》，也都曾经是《台积电》的主要技术骨干。近20年来，由于中国发展芯片的需要，《台积电》流失了大量技术人才，有关“知识产权”问题的大小诉讼几乎不曾间断过，奇怪的是，《台积电》的全球技术领先地位却始终屹立不倒，难以超越。发展芯片，人才的因素固然极为重要，但看来也不是决定性的。
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